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網(wǎng)站首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 東芯半導(dǎo)體(Dosilicon)

MCP

東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年,總部位于上海,在深圳、南京、、中國(guó)香港、韓國(guó)均設(shè)有分公司或子公司,矢志成為前列的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司,服務(wù)全球客戶。作為Fabless芯片企業(yè),東芯半導(dǎo)體擁有自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán),聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。
MCP

MCP

東芯MCP系列產(chǎn)品具有NAND Flash和DDR多種容量組合,F(xiàn)lash和DDR均為低電壓的設(shè)計(jì),Core voltage 1.8V可滿足目前移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對(duì)低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2兩種規(guī)格使其選擇更加靈活豐富。MCP可將Flash和DDR合二為一進(jìn)行封裝,簡(jiǎn)化走線設(shè)計(jì),節(jié)省組裝空間,高效集成電路,提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。



規(guī)格:Specification:
電壓/Voltage1.8V
溫度/Temperature-40℃ — 85℃
容量/Density1Gb/2Gb/4Gb Flash

512Mb/1Gb/2Gb/4Gb LPDDR
封裝/PackageFBGA 130,F(xiàn)BGA 162
速度/SpeedFlash 30ns,45ns LPDDR1 200MHz

LPDDR2 400MHz,533MHz
線寬/WidthFlash *8/*16 LPDDR1 *16

LPDDR2 *16/*32


TypePart NumberNANDDRAMTemp.RangePKG TypeDatasheet
DensityOrgVoltageDensityOrgTypeSpeed

MCP

FMN1SD5SBB-50IA

1Gb

x16

1.8V

512Mb

x16

LPDDR1

200MHz

-40℃~85℃

FBGA 130(8x9x1.0mm)

Download

FMN1ET1TCB-25IH

1Gb

x8

1.8V

1Gb

x32

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.0mm)

Download

FMN2ET1TCD-25IH

2Gb

x8

1.8V

1Gb

x32

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.0mm)

Download

FMN2ET2SCD-25IH

2Gb

x8

1.8V

2Gb

X16

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.0mm)

Download

FMN2ET2TCD-25IH

2Gb

x8

1.8V

2Gb

X32

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.0mm)

FMN4ET2TCB-25IH

4Gb

x8

1.8V

2Gb

x32

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.0mm)

Download

FMN4ET4DCF-25IH

4Gb

x8

1.8V

4Gb

x32

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.1mm)

Download

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